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FDMS3664S +BOM

Asymmetric Dual N-Channel PowerTrench® Power Stage MOSFET 30V

Produttore:

FAILCHILD
ProduttorePart #:

FDMS3664S
Scheda dati:

FDMS3664S Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDMS3664S Ispezione a raggi X

X-Ray inspection ensures product integrity by detecting internal defects without damaging external packaging. It reduces failure rates and enhances production efficiency, making it indispensable in the electronics components industry.

FDMS3664S Descrizione generale

Featuring a dual PQFN package, the FDMS3664S product is equipped with two specialized N-Channel MOSFETs that have been intricately crafted for peak performance. The internally connected switch node allows for effortless placement and routing in synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronousSyncFET (Q2) have been specifically designed to ensure unparalleled power efficiency

Caratteristiche principali

Fast switching and low losses for efficient power conversion
Compact layout reduces electromagnetic interference
MOSFET integration minimizes node ringing noise
Rise/fall times shortened for reduced switching losses
Latch-up protection for enhanced reliability
Safe operating area ensures stable operation

Applicazione

Desktop

Specifiche

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	13 A, 25 A
Rds On - Drain-Source Resistance	8 mOhms, 2.6 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.1 V	Qg - Gate Charge	29 nC, 52 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	2.2 W, 2.5 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	Power Stage PowerTrench	Series	FDMS3664S
Configuration	Dual	Height	1.1 mm
Length	6 mm	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 N-Channel	Width	5 mm
Unit Weight	0.006032 oz

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