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FDMS004N08C +BOM

N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 80V, 126A, 4.0mΩ

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDMS004N08C
Scheda dati:

FDMS004N08C Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDMS004N08C Descrizione generale

The FDMS004N08C is a high-quality N-Channel MV MOSFET manufactured using the innovative PowerTrench® process with Shielded Gate technology. This cutting-edge process is designed to reduce on-state resistance while also ensuring exceptional switching performance and a top-notch soft body diode

Caratteristiche principali

Silicon-Gate MOSFET Technology
High Current Handling: I_D= 20 A at V_GS = 10 V
Low Thermal Resistance: RθJC = 1.5°C/W
Fully RoHS Compliant and Lead-Free
UL Recognized Component
Surface Mountable Package Design

Applicazione

Easy to use and convenient.
Impressive performance and durability.
Modern design with a classic touch.

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	80 V
Id - Continuous Drain Current	126 A	Rds On - Drain-Source Resistance	3.4 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Qg - Gate Charge	55 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	125 W
Channel Mode	Enhancement	Series	FDMS004N08C
Configuration	Single	Fall Time	4 ns
Forward Transconductance - Min	98 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	6 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	25 ns	Typical Turn-On Delay Time	17 ns
Unit Weight	0.003739 oz

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