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FDMC8878 +BOM

This N-Channel MOSFET is a rugged gate version of an advanced Power Trench process. It has been optimized for power management applications.

FDMC8878 Descrizione generale

This N-Channel MOSFET is a rugged gate version of an advanced Power Trench process. It has been optimized for power management applications.

Caratteristiche principali

  • High Efficiency–95% typ at VF = 12V, IL = 1A
  • Low Noise–20μVrms max
  • Current Limiting for Protection

Applicazione

  • Useful in various scenarios.
  • Works well for any task.
  • Essential for multiple uses.

Specifiche

Source Content uid FDMC8878 Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Lifetime Buy Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 53 Weeks, 5 Days
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V Drain Current-Max (ID) 9.6 A
Drain-source On Resistance-Max 0.014 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code S-PDSO-N5 JESD-609 Code e4
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 5 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 31 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish NICKEL PALLADIUM GOLD SILVER
Terminal Form NO LEAD Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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