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FDMC86324 +BOM

FDMC86324 is an N-channel power MOSFET designed for high voltage applications, with a maximum rating of 80V and a continuous drain current of 7A

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDMC86324
Scheda dati:

FDMC86324 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDMC86324 Descrizione generale

The FDMC86324 N-Channel MOSFET stands out for its cutting-edge Power Trench® technology, designed to significantly reduce on-state resistance while ensuring top-notch switching capabilities. This advanced production process has been meticulously honed to deliver unparalleled performance in various applications

Caratteristiche principali

High-Performance Computing for Real-Time Applications
Advanced Memory Management & Data Storage
Integration of Multiple Functions into Single Platform

Applicazione

A versatile solution for all needs.
Great value for the price.

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	80 V
Id - Continuous Drain Current	20 A	Rds On - Drain-Source Resistance	23 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.1 V
Qg - Gate Charge	8 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	41 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDMC86324	Configuration	Single
Forward Transconductance - Min	19 S	Height	0.8 mm
Length	3.3 mm	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Width	3.3 mm
Unit Weight	0.001133 oz

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