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Power MOSFET transistor featuring N-channel design for high voltage (100V) and current (3
Power-33-8Produttore:
Fairchild Semiconductor
ProduttorePart #:
FDMC86106LZ
Scheda dati:
FET Type:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
EDA/CAD Modelli:
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N-Channel 100 V 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) 2.3W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 3.3A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 50 V |
Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta), 19W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Base Product Number | FDMC86 |
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $0,531 | $0,53 |
200+ | $0,206 | $41,20 |
500+ | $0,199 | $99,50 |
1000+ | $0,195 | $195,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
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