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FDMC7200S +BOM

MOSFET Array: Dual N-Channel, 30V, 23A/46A

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDMC7200S
Scheda dati:

FDMC7200S Scheda dati (PDF)
Series:

PowerTrench®
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 N-Channel (Dual)
FET Feature:

Logic Level Gate
EDA/CAD Modelli:

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FDMC7200S Descrizione generale

The FDMC7200S is a cutting-edge device that features two specialized N-Channel MOSFETs housed in a compact power33 package. With dimensions of 3mm x 3mm, this device is perfect for applications requiring efficient power management. The internal connection of the switch node simplifies the design and layout of synchronous buck converters, making it easy for engineers to implement this component into their systems. Both the control MOSFET (Q1) and synchronous MOSFET (Q2) have been meticulously engineered to deliver optimal power efficiency, ensuring that your device operates at peak performance while consuming minimal power

Caratteristiche principali

Fully RoHS Compliant
N-Channel MOSFET with High Current
Low Voltage Drop and Fast Switching
High Efficiency Power Device
Suitable for Wide Range of Applications
Compact Design and Low Profile

Applicazione

Compact
Performance
Quality

Specifiche

Series	PowerTrench®	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	2 N-Channel (Dual)	FET Feature	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A, 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 6A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 15V
Power - Max	700mW, 1W	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	FDMC72

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