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FDMB668P +BOM

MOSFET suitable for 1.8V logic levels

Produttore:

Fairchild Semiconductor
ProduttorePart #:

FDMB668P
Scheda dati:

FDMB668P Scheda dati (PDF)
Series:

PowerTrench®
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
EDA/CAD Modelli:

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FDMB668P Descrizione generale

One of the standout features of the FDMB668P is its threshold voltage of -2V, making it a breeze to control with standard logic level signals. This attribute simplifies the integration of the MOSFET into various electronic circuits for power management purposes, opening up a world of possibilities for its application in numerous projects

Specifiche

Series	PowerTrench®	FET Type	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.1A (Ta)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 6.1A, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	59 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2085 pF @ 10 V	Power Dissipation (Max)	1.9W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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