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Ideal for applications requiring N-Channel operation
DPAK-3 (TO-252-3)Produttore:
Onsemi
ProduttorePart #:
FDD770N15A
Scheda dati:
REACH:
Details
Technology:
Si
Mounting Style:
SMD/SMT
Transistor Polarity:
N-Channel
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Engineered with precision and expertise, the FDD770N15A MOSFET is the ideal choice for applications requiring high performance and efficiency. Thanks to its advanced PowerTrench process, this MOSFET offers low on-state resistance and superior switching capabilities, ensuring smooth operation and optimal power distribution. Upgrade your electronic designs with the reliable and innovative FDD770N15A MOSFET
Product Category | MOSFET | REACH | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V | Id - Continuous Drain Current | 18 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 61 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V | Qg - Gate Charge | 8.4 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 56.8 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | PowerTrench | Series | FDD770N15A |
Configuration | Single | Fall Time | 2.8 ns |
Forward Transconductance - Min | 20 S | Height | 2.39 mm |
Length | 6.73 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 3.1 ns | Factory Pack Quantity | 2500 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 15.8 ns | Typical Turn-On Delay Time | 10.3 ns |
Width | 6.22 mm | Unit Weight | 0.011640 oz |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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