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FDC796N +BOM

The FDC796N MOSFET offers high performance and reliability in a compact design

Produttore:

Fairchild Semiconductor
ProduttorePart #:

FDC796N
Scheda dati:

FDC796N Scheda dati (PDF)
Series:

PowerTrench®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
EDA/CAD Modelli:

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FDC796N Descrizione generale

Furthermore, the FDC796N is equipped with a 1.5 kV ESD protection rating, guaranteeing reliability and robustness even in harsh operating conditions. Its compact MLP package facilitates easy integration into space-constrained applications, while its excellent thermal performance ensures reliable operation across a wide temperature range

Specifiche

Series	PowerTrench®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12.5A (Ta)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 12.5A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 5 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1444 pF @ 15 V	Power Dissipation (Max)	2W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..