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FDC655AN +BOM

Si N-CHANNEL Small Signal MOSFET 30V 6300mA

Produttore:

Fairchild Semiconductor
ProduttorePart #:

FDC655AN
Scheda dati:

FDC655AN Scheda dati (PDF)
Series:

PowerTrench®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
EDA/CAD Modelli:

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FDC655AN Descrizione generale

N-Channel 30 V 6.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Caratteristiche principali

6.3 A, 30 V. RDS(ON) = 0.027 W @ VGS = 10 V
RDS(ON) = 0.035 W @ VGS = 4.5 V.
Fast switching.
Low gate charge ( typical 9 nC).
SuperSOTTM-6 package: small footprint (72% smaller than SO-8); low profile (1mm thick); pin compatible with TSOP-6.

Specifiche

Series	PowerTrench®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.3A (Ta)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27mOhm @ 6.3A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 5 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	830 pF @ 15 V	Power Dissipation (Max)	1.6W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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