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FDC645N +BOM

Featuring a 5.5 A current capability and a 30 V voltage rating, the ON Semiconductor FDC645N is an N-channel MOSFET housed in a 6-pin SSOT package

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDC645N
Scheda dati:

FDC645N Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDC645N Descrizione generale

The FDC645N N-Channel MOSFET is engineered to enhance the performance of DC/DC converters by catering to both synchronous and conventional switching PWM controllers. Its design focuses on minimizing gate charge, reducing RDS(ON), and accelerating switching speed, all of which contribute to improved overall efficiency

Caratteristiche principali

Fast fault detection and response for minimized downtime
Advanced thermal management for extended lifespan
Simplified EMI filter design for reduced complexity

Applicazione

High quality and reliable.
Excellent for multiple applications.
An essential product for any task.

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	5.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	30 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	800 mV
Qg - Gate Charge	21 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.6 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDC645N	Configuration	Single
Fall Time	9 ns	Forward Transconductance - Min	33 S
Height	1.1 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	9 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	35 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	FDC645N_NL	Unit Weight	0.001270 oz

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