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P-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V specified, -20V, -4.5A, 53mΩ
TSOT-23-6Produttore:
onsemi
ProduttorePart #:
FDC640P
Scheda dati:
Technology:
Si
Mounting Style:
SMD/SMT
Transistor Polarity:
P-Channel
Number Of Channels:
1 Channel
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When it comes to power management, the FDC640P P-Channel MOSFET stands out as a top choice for engineers and designers. With its rugged gate version of the advanced PowerTrench® process, this MOSFET ensures robustness and high performance in demanding applications. Its specified voltage range of 2.5V to 12V provides the flexibility needed for diverse gate drive voltages, making it suitable for a wide range of power management scenarios
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Id - Continuous Drain Current | 4.5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 53 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V |
Qg - Gate Charge | 13 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
Series | FDC640P | Configuration | Single |
Fall Time | 9 ns | Forward Transconductance - Min | 16 S |
Height | 1.1 mm | Length | 2.9 mm |
Product | MOSFET Small Signal | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 9 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 12 ns | Width | 1.6 mm |
Part # Aliases | FDC640P_NL | Unit Weight | 0.001270 oz |
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $0,340 | $0,34 |
10+ | $0,274 | $2,74 |
30+ | $0,246 | $7,38 |
100+ | $0,211 | $21,10 |
500+ | $0,195 | $97,50 |
1000+ | $0,185 | $185,00 |
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