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Vedi Specifiche Tecniche

FDC637BNZ +BOM

N-Channel MOSFET transistor SO

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDC637BNZ
Scheda dati:

FDC637BNZ Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDC637BNZ Descrizione generale

The FDC637BNZ MOSFET from Fairchild Semiconductor is a top-of-the-line N-Channel transistor specifically designed for high-performance applications. Utilizing the advanced PowerTrench® process, this MOSFET boasts a low on-state resistance and minimal gate charge, ensuring optimal switching capabilities. Despite its compact size, this device offers exceptional power dissipation, making it ideal for projects where space is limited. With a voltage rating of 2.5V, the FDC637BNZ is perfect for a wide range of electronic applications requiring precise and efficient power management

Caratteristiche principali

Fast response time
High-temperature tolerance
Small size and weight

Applicazione

Works like a charm.
Efficient and reliable.
Will exceed your expectations.

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	6.2 A	Rds On - Drain-Source Resistance	24 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	600 mV
Qg - Gate Charge	12 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.6 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDC637BNZ	Configuration	Single
Fall Time	6 ns	Height	1.1 mm
Length	2.9 mm	Product	MOSFET Small Signals
Product Type	MOSFET	Rise Time	6 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	22 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns	Width	1.6 mm
Unit Weight	0.001270 oz

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