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SSOT-6 P-CH -20V MOSFET FDC636P
SOT-23-6Thin,TSOT-23-6Produttore:
onsemi
ProduttorePart #:
FDC636P
Scheda dati:
FET Type:
P-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.8A (Ta)
EDA/CAD Modelli:
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P-Channel 20 V 2.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V |
Vgs (Max) | ±8V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 10 V |
Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Base Product Number | FDC636 |
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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