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FDC6322C +BOM

The FDC6322C MOSFET is a small-scale semiconductor device engineered to manage a current flow of 0

Produttore:

Fairchild Semiconductor
ProduttorePart #:

FDC6322C
Scheda dati:

FDC6322C Scheda dati (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

N and P-Channel
FET Feature:

Logic Level Gate
Drain To Source Voltage (Vdss):

25V
EDA/CAD Modelli:

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FDC6322C Descrizione generale

Mosfet Array 25V 220mA, 460mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

Caratteristiche principali

N-Ch 25 V, 0.22 A, RDS(ON) = 5 W @ VGS= 2.7 V.
P-Ch 25 V, -0.46 A, RDS(ON) = 1.5 W @ VGS= -2.7 V.
Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V circuits. VGS(th) <1.5 V.
Gate-Source Zener for ESD ruggedness.
>6kV Human Body Model
Replace NPN & PNP digital transistors.

Specifiche

Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	220mA, 460mA	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9.5pF @ 10V	Power - Max	700mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	FDC6322

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