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Vedi Specifiche Tecniche

FDC6310P +BOM

SOT-23-6 MOSFETs ROHS

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDC6310P
Scheda dati:

FDC6310P Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDC6310P Descrizione generale

Revolutionize your circuits with the FDC6310P, a state-of-the-art P-Channel MOSFET that raises the bar for performance and reliability. Through the use of the advanced PowerTrench® process, this MOSFET delivers exceptional switching performance with minimal on-state resistance and low gate charge. Its compact footprint and superior power dissipation make it a smart choice for applications that demand efficiency and cost-effectiveness over traditional package options

Caratteristiche principali

High-speed data transmission
Small size and reduced weight
Excellent thermal stability
Wide operating voltage range
Low standby power consumption

Applicazione

Great choice for various uses.
Perfect for a variety of tasks.

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	2.2 A	Rds On - Drain-Source Resistance	125 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V
Qg - Gate Charge	5.2 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	960 mW
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDC6310P	Configuration	Dual
Fall Time	12 ns	Forward Transconductance - Min	6 S
Height	1.1 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	12 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 P-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	10 ns
Typical Turn-On Delay Time	9 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	FDC6310P_NL	Unit Weight	0.001270 oz

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