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FDC6305N +BOM

FDC6305N is a N-Channel TSOT-23-6 MOSFET with a maximum voltage rating of 20V and a maximum current rating of 2

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDC6305N
Scheda dati:

FDC6305N Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDC6305N Descrizione generale

With the FDC6305N, Fairchild Semiconductor has achieved a remarkable balance between low on-state resistance and low gate charge, resulting in a MOSFET that delivers exceptional switching performance. This makes it an excellent choice for applications where minimizing power loss and maximizing efficiency are paramount

Caratteristiche principali

Fast Charging Capability
Intelligent Temperature Control
Real-Time Error Detection
Advanced Algorithm Processing

Applicazione

Great for everyday use.
Versatile and reliable choice.
Perfect for various applications.

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	2.7 A	Rds On - Drain-Source Resistance	60 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	400 mV
Qg - Gate Charge	5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	900 mW
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDC6305N	Configuration	Dual
Fall Time	8.5 ns	Forward Transconductance - Min	8 S
Height	1.1 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	8.5 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	11 ns
Typical Turn-On Delay Time	5 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	FDC6305N_NL	Unit Weight	0.001270 oz

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