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FDC606P +BOM

This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses a low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications.

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDC606P
Scheda dati:

FDC606P Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDC606P Descrizione generale

This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses a low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications.

Caratteristiche principali

-6V, 12 A
R_DS(on) = 38 mΩ@ V_GS = -2.1 V
High power and current handling capability
Fast switching speed and high reliability
Low R_DS(on) = 32 mΩ@ V_GS = -4.2 V
Suitable for industrial applications

Applicazione

Great for all your needs
Versatile and reliable
Perfect for various uses

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	12 V
Id - Continuous Drain Current	6 A	Rds On - Drain-Source Resistance	21 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V
Qg - Gate Charge	25 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.6 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDC606P	Configuration	Single
Fall Time	10 ns	Forward Transconductance - Min	25 S
Height	1.1 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signal	Product Type	MOSFET
Rise Time	10 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	89 ns
Typical Turn-On Delay Time	11 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	FDC606P_NL	Unit Weight	0.001270 oz

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