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FDC6036P +BOM

P-Ch MOSFET designed for 1.8V power applications

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FDC6036P
Scheda dati:

FDC6036P Scheda dati (PDF)
Series:

PowerTrench®
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 P-Channel (Dual)
FET Feature:

Logic Level Gate
EDA/CAD Modelli:

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FDC6036P Descrizione generale

The FDC6036P is a P-channel power trench MOSFET designed for low voltage applications. With a specified voltage of 1.8V and a 5A current handling capacity, this transistor is well-suited for power management tasks. Its low on-resistance of 0.044ohm ensures efficient power conversion and minimal voltage drop, making it ideal for demanding conditions. Constructed from silicon and featuring metal-oxide semiconductor technology, the FDC6036P offers high switching speeds and low power consumption, making it perfect for portable electronics and battery-powered devices. With a 20V rating and 2-element design, this transistor provides a versatile solution for power control and management in a compact package

Caratteristiche principali

–5 A, –20 V. RDS(ON) = 44 mΩ @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 64 mΩ @ VGS = –2.5 V RDS(ON) = 95 mΩ @ VGS = –1.8 V
Low gate charge, High Power and Current handling capability
High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
FLMP SSOT-6 package: Enhanced thermal performance in industry-standard package size

Specifiche

Series	PowerTrench®	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	2 P-Channel (Dual)	FET Feature	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	44mOhm @ 5A, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	992pF @ 10V
Power - Max	900mW	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	FDC6036

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