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EPC2108 +BOM
60V/100V N-Channel GaN Transistor with 1.7A/0.5A Current Ratings, Packaged in 9-Pin Die on Tape and Reel
9-VFBGA-
Produttore:
EPC
-
ProduttorePart #:
EPC2108
-
Scheda dati:
-
Series:
eGaN®
-
Technology:
GaNFET (Gallium Nitride)
-
Configuration:
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
-
Drain To Source Voltage (Vdss):
60V, 100V
-
EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 8515 PZ
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EPC2108 Descrizione generale
Mosfet Array 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Specifiche
Series | eGaN® | Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
Configuration | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) | FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 100V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A, 500mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
Power - Max | - | Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Base Product Number | EPC210 |
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In Stock: 8.515
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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