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EPC2104 +BOM

Trans MOSFET N-CH GaN 100V 23A 75-Pin Die

Produttore:

EPC
ProduttorePart #:

EPC2104
Scheda dati:

EPC2104 Scheda dati (PDF)
ECCN:

EAR99
Supplier Cage Code:

6UTY1
Series:

eGaN®
Technology:

GaNFET (Gallium Nitride)
EDA/CAD Modelli:

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EPC2104 Descrizione generale

Mosfet Array 100V 23A Surface Mount Die

Specifiche

ECCN	EAR99	Supplier Cage Code	6UTY1
Series	eGaN®	Technology	GaNFET (Gallium Nitride)
Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)	FET Feature	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3mOhm @ 20A, 5V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 5.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 5V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 50V
Power - Max	-	Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	EPC210

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