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EMZ1FHAT2R +BOM

EMZ1FHAT2R transistor for small signal applications

Produttore:

Rohm Semiconductor
ProduttorePart #:

EMZ1FHAT2R
Scheda dati:

EMZ1FHAT2R Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

1 NPN, 1 PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

EMZ1FHAT2R Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 50V 150mA 180MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT6

Specifiche

Transistor Type	1 NPN, 1 PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 6V
Power - Max	150mW	Frequency - Transition	180MHz, 140MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Grade	Automotive
Qualification	AEC-Q101	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	EMZ1FHAT2

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