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EMB20P03V +BOM

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, EDFN-8

Produttore:

EXCELLIANCE MOS CORP
ProduttorePart #:

EMB20P03V
Scheda dati:

EMB20P03V Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Contact Manufacturer
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

5 mJ
Case Connection:

DRAIN
EDA/CAD Modelli:

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EMB20P03V Descrizione generale

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, EDFN-8

Specifiche

Part Life Cycle Code	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	5 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	30 V	Drain Current-Max (ID)	18 A
Drain-source On Resistance-Max	0.02 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	S-PDSO-F5	Number of Elements	1
Number of Terminals	5	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Min	-55 °C	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	72 A	Surface Mount	YES
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	DUAL
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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