Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

EMG1T2R +BOM

Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 30MA

Produttore:

ROHM Semiconductor
ProduttorePart #:

EMG1T2R
Scheda dati:

EMG1T2R Scheda dati (PDF)
Configuration:

Dual Common Emitter
Transistor Polarity:

NPN
Typical Input Resistor:

22 kOhms
Typical Resistor Ratio:

1
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per EMG1T2R

EMG1T2R Descrizione generale

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5

Specifiche

Product Category:	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration:	Dual Common Emitter
Transistor Polarity:	NPN	Typical Input Resistor:	22 kOhms
Typical Resistor Ratio:	1	Mounting Style:	SMD/SMT
DC Collector/Base Gain hfe Min:	56	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	50 V
Continuous Collector Current:	100 mA	Peak DC Collector Current:	100 mA
Pd - Power Dissipation:	150 mW	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Series:	EMG1	Packaging:	MouseReel
Height:	0.5 mm	Length:	1.6 mm
Product Type:	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased	Factory Pack Quantity:	8000
Subcategory:	Transistors	Width:	1.2 mm
Part # Aliases:	EMG1

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..