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Vedi Specifiche Tecniche

EMG8T2R +BOM

100mA Current Capacity at 50V Voltage Rating

Produttore:

Rohm Semiconductor
ProduttorePart #:

EMG8T2R
Scheda dati:

EMG8T2R Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

5
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelli:

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EMG8T2R Descrizione generale

The EMG8T2R is a versatile product designed to meet the needs of various applications requiring the integration of two transistors. Its ultra-compact package makes it ideal for use in pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators, driver ICs, and more. With this product, users can expect reliable performance and seamless integration into their designs

Caratteristiche principali

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	5	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	53 Weeks, 1 Day
Additional Feature	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	Collector Current-Max (IC)	0.1 A
Collector-Emitter Voltage-Max	50 V	Configuration	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE)	80	JESD-30 Code	R-PDSO-F5
JESD-609 Code	e2	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	2	Number of Terminals	5
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation-Max (Abs)	0.15 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Tin/Copper (Sn/Cu)	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	10
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	250 MHz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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