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C2M0160120D +BOM

MOSFET transistor designed for high power applications, featuring 1200V specification and 160 milliohm resistance

Produttore:

Wolfspeed
ProduttorePart #:

C2M0160120D
Scheda dati:

C2M0160120D Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

SiC
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelli:

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C2M0160120D Descrizione generale

N-Channel 1200 V 19A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3

Caratteristiche principali

High blocking voltage with low RDS (on)
Easy to parallel and simple to drive
Resistant to latch-up
Halogen-free

Applicazione

Power Management
Alternative Energy

Specifiche

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	SiC	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1.2 kV	Id - Continuous Drain Current	17.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance	196 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V	Qg - Gate Charge	32.6 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	125 W	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single	Fall Time	7 ns
Forward Transconductance - Min	4.1 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	12 ns	Factory Pack Quantity	30
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	13 ns	Typical Turn-On Delay Time	7 ns
Unit Weight	0.211644 oz

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