Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

C2M0080120D +BOM

Power Mosfet, N Channel, 31.6 A, 1.2 Kv, 0.08 Ohm, 20 V, 3.2 V Rohs Compliant: Yes

Produttore:

Wolfspeed, Inc.
ProduttorePart #:

C2M0080120D
Scheda dati:

C2M0080120D Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Not Recommended
Reach Compliance Code:

compliant
Case Connection:

DRAIN
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per C2M0080120D

C2M0080120D Descrizione generale

The C2M0080120D MOSFET is a reliable and efficient semiconductor component with a high drain source voltage of 1200V and a continuous drain current of 31.6A. Its low on-resistance of 0.08ohm ensures minimal power loss and high efficiency. With a threshold voltage of 3.2V and a power dissipation of 208W, this N-channel transistor is designed for high performance in challenging environments. The TO-247 case style with 3 pins allows for easy and secure mounting, while its wide operating temperature range of -55°C to 150°C ensures versatility in various applications

Caratteristiche principali

High Blocking Voltage with Low On-Resistance
High Speed Switching with Low Capacitances
Easy to Parallel and Simple to Drive
Avalanche Ruggedness
Resistant to Latch-Up
Halogen Free, RoHS Compliant
Benefts
Higher System Effciency
Reduced Cooling Requirements
Increased Power Density
Increased System Switching Frequency

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Not Recommended
Reach Compliance Code	compliant	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	1200 V
Drain Current-Max (ID)	36 A	Drain-source On Resistance-Max	0.098 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-247
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	JESD-609 Code	e3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	80 A	Surface Mount	NO
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON CARBIDE

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..