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BSH103,215 +BOM

TO-236AB packaged N-channel 30V MOSFET transistor

Produttore:

Nexperia
ProduttorePart #:

BSH103,215
Scheda dati:

BSH103,215 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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BSH103,215 Descrizione generale

Experience the exceptional capabilities of the BSH103-215 transistor and unleash its full potential in your electronic designs. With unmatched power handling and thermal efficiency, this component is a game-changer for demanding applications that require precision and durability

Caratteristiche principali

Rapid prototyping capabilities
Customized motor solutions
Advanced motion control systems

Applicazione

Synchronous rectifiers
Load switches
Isolation transformers

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	850 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	400 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	400 mV
Qg - Gate Charge	2.1 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	750 mW
Channel Mode	Enhancement	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Part # Aliases	934054713215	Unit Weight	0.000282 oz

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Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..