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55 V, N-channel Trench MOSFET
SOT-23Produttore:
ProduttorePart #:
BSH111BKR
Scheda dati:
FET Type:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
210mA (Ta)
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N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs | Series | - |
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 210mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
Vgs (Max) | ±10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30 pF @ 30 V |
FET Feature | - | Power Dissipation (Max) | 302mW (Ta) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | BSH111 | feature-packaging | Tape and Reel |
feature-rad-hard | feature-pin-count | 3 | |
feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
feature-escc-qualified | feature-military | No | |
feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | Yes |
feature-svhc-exceeds-threshold | No |
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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Very good seller best price, and very fast shipping