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BSS63AHZGT116 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 100 mA 200MHz 200 mW Surface Mount SST3

  • Produttore:

    ROHM Semiconductor

  • ProduttorePart #:

    BSS63AHZGT116

  • Scheda dati:

    BSS63AHZGT116 Scheda dati (PDF) pdf-icon

  • Series:

    Automotive, AEC-Q101

  • Transistor Type:

    PNP

  • Current - Collector (Ic) (Max):

    100 mA

  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

    100 V

BSS63AHZGT116 Descrizione generale

Bipolar Transistors - BJT BSS63AHZG is a SOT-23 package Transistor for high voltage amplifier. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.

ROHM Semiconductor inventario

Caratteristiche principali

  • High breakdown voltage. (BV
  • CEO
  • Complements the BSS64A HZG

Specifiche

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors Series Automotive, AEC-Q101
Transistor Type PNP Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 25mA, 1V
Power - Max 200 mW Frequency - Transition 200MHz
Operating Temperature 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Base Product Number BSS63

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BSS63AHZGT116 Scheda dati PDF

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