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BSC600N25NS3 G +BOM
OptiMOS 3 N-Channel MOSFET
SuperSO8 5x6-
Produttore:
Infineon
-
ProduttorePart #:
BSC600N25NS3 G
-
Scheda dati:
-
IDpuls Max:
100.0 A
-
Ptot Max:
125.0 W
-
VDS Max:
250.0 V
-
Polarity:
N
-
EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 8943 PZ
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BSC600N25NS3 G Descrizione generale
Infineon Technologies’ EasyDUAL CoolSiC series offers a convenient half-bridge configuration with two 600V SiC MOSFETs and separate gate drivers, providing a comprehensive solution for power electronics design. The BSC600N25NS3 G power module stands out with its typical on-state resistance of 15mΩ and a maximum operating temperature of 175°C, ensuring high performance under demanding conditions. This power module is an excellent choice for designers looking to optimize power electronic systems for efficiency and reliability
Caratteristiche principali
- Microwave and RF applications supported
- Durable and long-lasting operation
- High frequency and voltage tolerance
- Automotive and industrial grade quality
Applicazione
- Electric vehicle technology
- Sustainable energy solutions
- Advanced power systems
Specifiche
IDpuls max | 100.0 A | Ptot max | 125.0 W |
VDS max | 250.0 V | Polarity | N |
RDS (on) max | 60.0 mΩ | ID max | 25.0 A |
VGS(th) max | 4.0 V | VGS(th) min | 2.0 V |
Operating Temperature max | 150.0 °C | Operating Temperature min | -55.0 °C |
Politiche di servizio e altro
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
In Stock: 8.943
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $2,909 | $2,91 |
10+ | $2,552 | $25,52 |
30+ | $2,340 | $70,20 |
100+ | $2,127 | $212,70 |
500+ | $2,028 | $1.014,00 |
1000+ | $1,984 | $1.984,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
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