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BSC160N10NS3 G +BOM

OptiMOS3 technology

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

BSC160N10NS3 G
Scheda dati:

BSC160N10NS3 G Scheda dati (PDF)
Series:

OptiMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
EDA/CAD Modelli:

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BSC160N10NS3 G Descrizione generale

N-Channel 100 V 8.8A (Ta), 42A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Caratteristiche principali

Fast switching MOSFET for SMPS
Optimized technology for DC/DC converters
Qualified according to JEDEC1) for target applications
N-channel; Logic level
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Superior thermal resistance
Avalanche rated
Pb-free plating; RoHS compliant
Halogen-free according to IEC61249-2-21

Specifiche

Series	OptiMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.8A (Ta), 42A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 33A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 33µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1700 pF @ 50 V	Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BSC160

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