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BSC150N03LDG +BOM

High-power transistor for demanding applications, featuring robust performance and reliability

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

BSC150N03LDG
Scheda dati:

BSC150N03LDG Scheda dati (PDF)
Series:

OptiMOS™
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 N-Channel (Dual)
FET Feature:

Logic Level Gate
EDA/CAD Modelli:

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BSC150N03LDG Descrizione generale

Mosfet Array 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8-4

Specifiche

Series	OptiMOS™	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	2 N-Channel (Dual)	FET Feature	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15mOhm @ 20A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.2nC @ 10V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 15V
Power - Max	26W	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	BSC150

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