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BSC123N10LS G +BOM

TDSON-8-EP(5x6) BSC123N10LS G MOSFETs ROHS

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

BSC123N10LS G
Scheda dati:

BSC123N10LS G Scheda dati (PDF)
Series:

OptiMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
EDA/CAD Modelli:

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BSC123N10LS G Descrizione generale

N-Channel 100 V 10.6A (Ta), 71A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Caratteristiche principali

Ideal for high frequency switching and sync. rec.
Optimized technology for DC/DC converters
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Superior thermal resistance
N-channel, normal level
100% avalanche tested
Pb-free plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC1) for target applications
Halogen-free according to IEC61249-2-21

Specifiche

Series	OptiMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10.6A (Ta), 71A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3mOhm @ 50A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 72µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4900 pF @ 50 V	Power Dissipation (Max)	114W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BSC123

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