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BSC072N03LD G +BOM

The BSC072N03LD G is designed in a TDSON-8 package for optimal performance and heat dissipation

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

BSC072N03LD G
Scheda dati:

BSC072N03LD G Scheda dati (PDF)
Series:

OptiMOS™
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 N-Channel (Dual)
FET Feature:

Logic Level Gate
EDA/CAD Modelli:

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BSC072N03LD G Descrizione generale

The transistor is housed in a PG-TSDSON-8 case style and has a maximum of 8 pins. Its voltage rating allows for a maximum Vgs of 20V, providing flexibility in driving the MOSFET. This product is free from any Substances of Very High Concern (SVHC), making it environmentally friendly

Specifiche

Series	OptiMOS™	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	2 N-Channel (Dual)	FET Feature	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2mOhm @ 20A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 15V
Power - Max	57W	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	BSC072N03

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