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BSC022N03SG +BOM

With its robust specifications and compact form factor

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

BSC022N03SG
Scheda dati:

BSC022N03SG Scheda dati (PDF)
Series:

OptiMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
EDA/CAD Modelli:

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BSC022N03SG Descrizione generale

Infineon Technologies' BSC022N03SG N-channel Power MOSFET is designed to deliver exceptional performance in high frequency and high efficiency applications. With a continuous drain current of 55A and a low on-resistance of 2.3mΩ, this MOSFET ensures low power dissipation and outstanding efficiency. Its 30V drain-source voltage rating makes it suitable for a wide range of applications that require a voltage of up to 30V. Additionally, its small footprint, compact form factor, and high avalanche energy capability provide robust protection against voltage spikes and overcurrent conditions, making it a reliable choice for demanding applications

Specifiche

Series	OptiMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	28A (Ta), 100A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2mOhm @ 50A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	64 nC @ 5 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8290 pF @ 15 V	Power Dissipation (Max)	2.8W (Ta), 104W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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