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7MBR25NF120 +BOM

N-channel IGBT capable of handling 25A current and sustaining 1200V voltage

Produttore:

Fuji Electric Co Ltd
ProduttorePart #:

7MBR25NF120
Scheda dati:

7MBR25NF120 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

ISOLATED
Collector Current-Max (IC):

25 A

7MBR25NF120 Descrizione generale

One of the key features of the 7MBR25NF120 is its built-in temperature and overcurrent protection, which ensures safe and reliable operation in a variety of environments. This module also boasts low thermal resistance and excellent thermal cycling capabilities, allowing for efficient heat dissipation and long-term reliability. These qualities make the 7MBR25NF120 a popular choice for motor drives, inverters, and other high-power applications where precise control and high efficiency are paramount

Caratteristiche principali

High-reliability, high-speed RF power transistor for amplifier applications
Suitable for use in high-power amplifiers and other demanding applications

Applicazione

Motor drives with high current
Inverter systems for efficiency
Industrial automation applications

Specifiche

Part Life Cycle Code	Obsolete	ECCN Code	EAR99
Case Connection	ISOLATED	Collector Current-Max (IC)	25 A
Collector-Emitter Voltage-Max	1200 V	Configuration	COMPLEX
JESD-30 Code	R-XUFM-X21	Number of Elements	7
Number of Terminals	21	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	200 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	UNSPECIFIED
Terminal Position	UPPER	Transistor Application	POWER CONTROL
Transistor Element Material	SILICON	VCEsat-Max	3.3 V

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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