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7MBR75VN120-50 +BOM

Trans IGBT Module N-CH

Produttore:

FUJI ELECTRIC
ProduttorePart #:

7MBR75VN120-50
Scheda dati:

7MBR75VN120-50 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

35
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

ISOLATED
EDA/CAD Modelli:

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7MBR75VN120-50 Descrizione generale

The 7MBR75VN120-50 is a high-performance Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) module designed for power electronic applications. With a N Channel transistor polarity and a DC collector current of 75A, this module is capable of handling high power outputs with ease. The collector emitter voltage Vces is rated at 1200V, ensuring reliable operation even under high voltage conditions. The module features a power dissipation of 385W, making it suitable for a wide range of power electronics applications

Caratteristiche principali

Low VCE(sat)
Compact Package
P.C.Board Mount Module
Converter Diode Bridge Dynamic Brake Circuit
RoHS compliant product

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	35
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
Case Connection	ISOLATED	Collector Current-Max (IC)	75 A
Collector-Emitter Voltage-Max	1200 V	Configuration	COMPLEX
Gate-Emitter Voltage-Max	20 V	JESD-30 Code	R-XUFM-X22
Number of Elements	7	Number of Terminals	22
Operating Temperature-Max	125 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	385 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	UNSPECIFIED	Terminal Position	UPPER
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	POWER CONTROL
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Nom (toff)	530 ns
Turn-on Time-Nom (ton)	390 ns	VCEsat-Max	2.7 V

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