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7MBR50SB-120-50 +BOM

Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

Produttore:

FUJITSU
ProduttorePart #:

7MBR50SB-120-50
Scheda dati:

7MBR50SB-120-50 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

24
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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7MBR50SB-120-50 Descrizione generale

PIM 7PK IGBT MOD +I/P BR 50A 1200V NPT; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:75A; Collector Emitter Voltage Vces:2.7V; Power Dissipation Pd:360W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:Module; No. of Pins:24; Current Ic @ Vce Sat:75A; Current Ic Continuous a Max:75A; Current Temperature:25°C; External Depth:62mm; External Length / Height:20mm; External Width:122mm; Fall Time tf:450ns; Full Power Rating Temperature:25°C; Isolation Voltage:2.5kV; Junction Temperature Tj Max:150°C; Module Configuration:Seven; No. of Transistors:7; Package / Case:M712; Power Dissipation Max:360W; Power Dissipation Pd:360W; Power Dissipation Pd:360W; Pulsed Current Icm:150A; Rise Time:350ns; Termination Type:Screw; Voltage Vces:1.2kV

Specifiche

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Obsolete
Pin Count	24	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Case Connection	ISOLATED
Collector Current-Max (IC)	75 A	Collector-Emitter Voltage-Max	1200 V
Configuration	COMPLEX	JESD-30 Code	R-XUFM-X24
Number of Elements	7	Number of Terminals	24
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Surface Mount	NO	Terminal Form	UNSPECIFIED
Terminal Position	UPPER	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	POWER CONTROL	Transistor Element Material	SILICON
Turn-off Time-Nom (toff)	530 ns	Turn-on Time-Nom (ton)	600 ns

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