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7MBI75N-060 +BOM

P607 Insulated Gate Bipolar Transistor capable of handling 75A current

Produttore:

Fuji Electric Co Ltd
ProduttorePart #:

7MBI75N-060
Scheda dati:

7MBI75N-060 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

22
ECCN Code:

EAR99
Collector Current-Max (IC):

75 A

7MBI75N-060 Descrizione generale

This IPM module comprises six insulated gate bipolar transistors (IGBTs) and six fast recovery diodes, meticulously arranged in a three-phase bridge configuration. This innovative setup enables seamless switching of high currents and voltages in motor drive and power conversion systems. Additionally, the inclusion of a built-in thermistor allows for real-time temperature monitoring, safeguarding against overheating and extending the module's lifespan

Caratteristiche principali

Compact Power Solution
Efficient Motor Control
High Speed Performance
Precise Power Conversion
Rapid Temperature Response
Safe and Reliable Operation

Applicazione

Industrial motor drives
Wind and solar inverters
7MBI75N-060 module

Specifiche

Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	22
ECCN Code	EAR99	Collector Current-Max (IC)	75 A
Collector-Emitter Voltage-Max	600 V	Configuration	COMPLEX
JESD-30 Code	R-XUFM-X22	Number of Elements	7
Number of Terminals	22	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	320 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	UNSPECIFIED
Terminal Position	UPPER	Transistor Element Material	SILICON
VCEsat-Max	2.8 V

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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