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Bipolar Transistors - BJT Power BJT
TO-66 (TO-213AA)Produttore:
ProduttorePart #:
2N6421
Scheda dati:
Transistor Type:
PNP
Current - Collector (Ic) (Max):
2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
250 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
750mV @ 125mA, 1A
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 2 A 35 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors | Series | - |
Transistor Type | PNP | Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250 V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 125mA, 1A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 10V |
Power - Max | 35 W | Frequency - Transition | - |
Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $69,894 | $69,89 |
200+ | $27,049 | $5.409,80 |
500+ | $26,099 | $13.049,50 |
1000+ | $25,627 | $25.627,00 |
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2N2905
MICROCHIP
1000+ $19,458
2N3773
Onsemi
100+ $0,928
2N3055
Onsemi
1000+ $0,646
2N2219
Microchip
Excellent reliability and fast switching times make this BJTs transistor ideal for use in automotive, industrial, and consumer electronics
2N1711
Stmicroelectronics
With a gain of 8dB, this transistor is suitable for amplifying low-level signals