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2N6306 +BOM
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
TO-3-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
2N6306
-
Scheda dati:
-
Mounting Style:
Through Hole
-
Transistor Polarity:
NPN
-
Configuration:
Single
-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
250 V
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 7072 PZ
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2N6306 Descrizione generale
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 8 A 125 W Through Hole TO-204AD (TO-3)
Applicazione
Designed for high voltage inverters,switching regulators and line-operated amplifier applications. Especially well suited for switching power supply applications in associated consumer products.
Specifiche
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 250 V | Collector- Base Voltage VCBO | 500 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 8 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 5 V |
Maximum DC Collector Current | 8 A | Pd - Power Dissipation | 125 W |
Gain Bandwidth Product fT | - | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
Maximum Operating Temperature | + 200 C | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 1 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si |
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
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In Stock: 7.072
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $180,772 | $180,77 |
200+ | $72,130 | $14.426,00 |
500+ | $69,721 | $34.860,50 |
1000+ | $68,529 | $68.529,00 |
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