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Fast switching and high-frequency operation up to M
TO-5AAProduttore:
ProduttorePart #:
2N3719
Scheda dati:
Mounting Style:
Through Hole
Transistor Polarity:
PNP
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
40 V
EDA/CAD Modelli:
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 3 A 60MHz 6 W Through Hole TO-5AA
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | PNP | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V | Collector- Base Voltage VCBO | 40 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 4 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 750 mV |
Maximum DC Collector Current | 10 A | Pd - Power Dissipation | 6 W |
Gain Bandwidth Product fT | 60 MHz | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
Maximum Operating Temperature | + 200 C | Continuous Collector Current | 3 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 25 at 1 A, 1.5 VDC | DC Current Gain hFE Max | 180 at 1 A, 1.5 VDC |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 1 |
Subcategory | Transistors | Technology | Si |
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $45,028 | $45,03 |
200+ | $17,426 | $3.485,20 |
500+ | $16,812 | $8.406,00 |
1000+ | $16,510 | $16.510,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
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2N2905
MICROCHIP
1000+ $19,458
2N3773
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100+ $0,928
2N3055
Onsemi
1000+ $0,646
2N2219
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Excellent reliability and fast switching times make this BJTs transistor ideal for use in automotive, industrial, and consumer electronics
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With a gain of 8dB, this transistor is suitable for amplifying low-level signals