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Vedi Specifiche Tecniche

STS7C4F30L +BOM

Electronic component for high-power circuitry

Produttore:

Stmicroelectronics
ProduttorePart #:

STS7C4F30L
Scheda dati:

STS7C4F30L Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel, P-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelli:

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STS7C4F30L Descrizione generale

Mosfet Array 30V 7A, 4A 2W Surface Mount 8-SOIC

Caratteristiche principali

Compact size and lightweight design
High efficiency up to 94%
Wide input voltage range
Isolation voltage up to 3000V
Over current, short circuit, and over voltage protection
Low standby power consumption
Conformal coating for harsh environment

Applicazione

High tech applications
Futuristic innovations
Advanced technology

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel, P-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	7 A	Rds On - Drain-Source Resistance	22 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 60 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Dual
Fall Time	10 ns, 35 ns	Height	1.65 mm
Length	5 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	10 ns, 35 ns	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel, 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	42 ns, 125 ns	Typical Turn-On Delay Time	22 ns, 25 ns
Width	4 mm	Unit Weight	0.002610 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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