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STGW30NC60KD +BOM

IGBT N-Channel 30A 600V TO-247

Produttore:

STMicroelectronics, Inc
ProduttorePart #:

STGW30NC60KD
Scheda dati:

STGW30NC60KD Scheda dati (PDF)
ECCN (US):

EAR99
ECCN (EU):

NEC
Packing Type:

Tube
Temperature (°C) Min:

-55
EDA/CAD Modelli:

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STGW30NC60KD Descrizione generale

Featuring a collector emitter saturation voltage of 2.1V and a collector emitter voltage of 600V, the STGW30NC60KD IGBT offers a high level of performance and efficiency. With a DC collector current of 60A and a power dissipation of 200W, this transistor is capable of handling demanding power requirements with ease. The TO-247 transistor case style ensures easy installation and secure mounting, while the RoHS compliance confirms its adherence to environmental regulations. Trust in STMicroelectronics for a quality product that meets your electronic component needs

Caratteristiche principali

Compact package design
Superior thermal management
Flexible application flexibility
No noise pollution

Specifiche

Marketing Status	Active	ECCN (US)	EAR99
ECCN (EU)	NEC	Packing Type	Tube
Temperature (°C) min	-55	Temperature (°C) max	150

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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