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MOSFET with N-channel configuration, capable of handling up to 600V voltage, featuring 0
TO-252-3Produttore:
STMicroelectronics
ProduttorePart #:
STD9N60M2
Scheda dati:
Series:
MDmesh™ II Plus
FET Type:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
600 V
EDA/CAD Modelli:
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With its use of MDmesh™ M2 technology, the STD9N60M2 stands out as a reliable N-channel Power MOSFET. Its carefully designed strip layout and improved vertical structure result in low on-resistance and superior switching performance, making it a suitable choice for high-efficiency converters in demanding applications
Series | MDmesh™ II Plus | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 780mOhm @ 3A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±25V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 320 pF @ 100 V | Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | STD9 |
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $0,558 | $0,56 |
10+ | $0,466 | $4,66 |
30+ | $0,419 | $12,57 |
100+ | $0,372 | $37,20 |
500+ | $0,344 | $172,00 |
1000+ | $0,330 | $330,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
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