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STD7NM80-1 +BOM

N-Channel 800 V 6.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

STD7NM80-1 Descrizione generale

N-Channel 800 V 6.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Caratteristiche principali

  • 100% avalanche tested
  • Low input capacitance and gate charge
  • Low gate input resistance

Specifiche

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style Through Hole Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 800 V
Id - Continuous Drain Current 6.5 A Rds On - Drain-Source Resistance 1.05 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V Qg - Gate Charge 18 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 90 W Channel Mode Enhancement
Tradename MDmesh Series STD7NM80-1
Configuration Single Fall Time 10 ns
Height 6.2 mm Length 6.6 mm
Product Type MOSFET Rise Time 8 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 35 ns
Typical Turn-On Delay Time 20 ns Width 2.4 mm
Unit Weight 0.011993 oz

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