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STD7N80K5 +BOM

MOSFET transistor with N-channel polarity, rated for 800V voltage and 6A current, housed in a DPAK package with 3 pins and 2 tabs

Produttore:

STMicroelectronics
ProduttorePart #:

STD7N80K5
Scheda dati:

STD7N80K5 Scheda dati (PDF)
Series:

SuperMESH5™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

800 V
EDA/CAD Modelli:

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STD7N80K5 Descrizione generale

Elevate your projects with the STD7N80K5, a top-of-the-line N-channel Power MOSFET that incorporates MDmesh K5 technology for superior performance. Its innovative vertical structure sets it apart from traditional MOSFETs, offering a significant reduction in on-resistance and ultra-low gate charge. Ideal for applications that demand high power density and efficiency, the STD7N80K5 is the perfect choice for professionals and hobbyists alike. Upgrade your current setup or start a new project with confidence, knowing that this MOSFET delivers the reliability and performance you need to succeed

Caratteristiche principali

Fast switching with low loss
Excellent thermal characteristics
Zener-protected for safety

Specifiche

Series	SuperMESH5™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 3A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.4 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	360 pF @ 100 V	Power Dissipation (Max)	110W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	STD7N80

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