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STD75N3LLH6 +BOM

N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET

Produttore:

STMicroelectronics
ProduttorePart #:

STD75N3LLH6
Scheda dati:

STD75N3LLH6 Scheda dati (PDF)
Series:

DeepGATE™, STripFET™ VI
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
EDA/CAD Modelli:

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STD75N3LLH6 Descrizione generale

The TO-252 transistor case style and 3 pins make it easy to integrate into existing circuit designs, while the wide operating temperature range of -55°C to +175°C ensures reliable performance in harsh environmental conditions. With a power dissipation rating of 60W, this MOSFET is capable of handling high power loads without overheating. In addition, the device is automotive qualified, making it suitable for use in automotive applications

Specifiche

Series	DeepGATE™, STripFET™ VI	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 37.5A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1690 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	STD75N

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