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STD6N80K5 +BOM

N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD6N80K5 Descrizione generale

Engineers and developers will be thrilled to discover the benefits of the STD6N80K5. Thanks to its cutting-edge MDmesh K5 technology, this product offers a substantial decrease in on-resistance and gate charge. This not only enhances overall efficiency but also opens up a world of possibilities for high-powered applications

STD6N80K5

Caratteristiche principali

  • Precise temperature monitoring and control
  • Advanced signal conditioning capabilities
  • Suitable for high-reliability applications
  • Economical manufacturing process
  • Precise power consumption optimization

Specifiche

Source Content uid STD6N80K5 Part Life Cycle Code Active
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 52 Weeks DS Breakdown Voltage-Min 800 V
Drain-source On Resistance-Max 0.0016 Ω Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Surface Mount NO
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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